[发明专利]一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110954137.0 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113788629B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 韩宏伟;梅安意;刘爽;张德义;李代宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C03C17/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孙杨柳 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 卤化物 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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