[发明专利]预测图形桥联的方法、装置及电子设备有效
| 申请号： | 202110951881.5 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113406858B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘秀梅;罗招龙;魏来;王康 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 210006 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种预测图形桥联的方法、装置及电子设备。具体的，通过将实际光刻工艺过程中，光刻工艺制程的波动对曝光在晶圆上的图形的桥联影响，模拟成对已建立的OPC模型的光强阈值的影响，从而在设计版图流片之前，通过对已建OPC模型的光强阈值进行修改的方式，利用修改后的OPC模型对设计版图的测试版图进行多次仿真分析，以便在设计版图进行流片之前，就检查出设计版图中可能由于光刻工艺制程的波动而在发生桥联的主图形，并对检查出的可能发生桥联的主图形进行修正，进而提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 预测 图形 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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