[发明专利]存储单元结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110947640.3 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115715086A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 蔺黎;施平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储单元结构及其形成方法，其中方法包括：以所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述过渡浮栅层，直到暴露出所述衬底表面，以形成所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构和所述两个存储结构之间的开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅包括第一区和位于所述第一区上的第二区，所述第一区包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁朝向相邻存储栅结构，所述第二侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第一尺寸，所述第一侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；形成所述开口内的擦除栅，提高所形成的存储单元结构的擦除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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