[发明专利]存储单元结构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构，所述两个存储结构之间具有开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅包括第一区和位于所述第一区上的第二区，所述第一区包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁朝向相邻存储栅结构，所述第二侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第一尺寸，所述第一侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；

位于所述开口内的擦除栅；

分别位于所述存储栅结构和擦除栅两侧的字线；

位于所述第二区、所述控制栅、所述控制栅介质层侧壁与所述擦除栅侧壁之间的第一侧墙，所述第一侧墙侧壁表面与所述第一区的第一侧壁共垂直面；

位于所述第二区、所述控制栅、所述控制栅介质层侧壁与所述字线侧壁之间的第二侧墙，所述第二侧墙侧壁表面与所述第一区的第二侧壁共垂直面。

2.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述第二尺寸相对于所述第一区在沿所述衬底法线方向的尺寸的比值范围1.2:1至2:1。

3.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述第二侧墙还位于所述第二区、所述控制栅侧壁与所述擦除栅侧壁之间；所述第一侧墙包括位于所述第二区、所述控制栅侧壁与所述擦除栅侧壁之间的第二侧墙和位于所述第二区、所述控制栅侧壁与所述擦除栅侧壁之间的第二侧墙表面的第三侧墙。

4.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述衬底内具有源区和漏区；所述源区位于擦除栅下方的衬底内，所述漏区位于所述字线在远离所述控制栅结构的一侧的衬底内。

5.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述控制栅介质层包括第一介质层，位于所述第一介质层表面的第二介质层，以及位于所述第二介质层表面的第三介质层；所述一介质层的材料包括氧化硅；所述第二介质层的材料包括氮化硅；所述第三介质层的材料包括氧化硅。

6.一种存储单元结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成浮栅材料层、所述浮栅材料层上的控制栅介质材料层以及所述控制栅介质材料层上的控制栅材料层；

刻蚀所述控制栅材料层、所述控制栅介质材料层和所述浮栅材料层，形成过渡浮栅层、所述过渡浮栅层上的两个过渡存储结构和两个所述过渡存储结构内的初始开口，各个所述过渡存储结构包括浮栅的第二区、所述第二区上的控制栅介质层以及所述控制栅介质层上的控制栅，所述过渡存储结构具有所述初始开口侧壁暴露出的第三侧壁，以及与所述第三侧壁相对的第四侧壁；

在所述第三侧壁表面形成第一侧墙；

在所述第四侧壁表面形成第二侧墙，所述第一侧墙在沿所述第一侧墙法线方向的尺寸大于所述第二侧墙在沿所述第二侧墙法线方向的尺寸；

以所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述过渡浮栅层，直到暴露出所述衬底表面，以形成所述衬底上的相互分立的两个存储栅结构和所述两个存储结构之间的开口，各存储栅结构包括浮栅、位于所述浮栅上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅包括第一区和位于所述第一区上的第二区，以所述过渡浮栅极层形成所述第二区，所述第一区包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁朝向相邻存储栅结构，所述第二侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第一尺寸，所述第一侧壁相对于所述控制栅侧壁凸出第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；

形成所述开口内的擦除栅；

形成所述存储栅结构和擦除栅两侧的字线。