[发明专利]一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法在审
申请号: | 202110941681.1 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113823583A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 华铁军;黄春城 | 申请(专利权)人: | 江苏海创微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 安徽致至知识产权代理事务所(普通合伙) 34221 | 代理人: | 秦玉霞 |
地址: | 224000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法,包括调整机构和静电机构,承接内筒外圈的静电机构环绕传动机构进行螺旋旋转,利用外接触件与拨动排列轴进行接触,二者之间摩擦产生静电,因外接触件的环形阵列开设,使其成为一个类圆状,从而产生的静电形成一类圆状电场,产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径,使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位,产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引,使产生的静电场的边缘高度提升,使整体静电场成为类倒漏斗状,对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔,使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 生产 工用 刻蚀 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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