[发明专利]一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法在审

专利信息
申请号: 202110941681.1 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113823583A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 华铁军;黄春城 申请(专利权)人: 江苏海创微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 安徽致至知识产权代理事务所(普通合伙) 34221 代理人: 秦玉霞
地址: 224000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 生产 工用 刻蚀 装置 及其 使用方法
【权利要求书】:

1.一种二极管生产加工用刻蚀装置,包括调整机构(1)和静电机构(2),其特征在于,所述调整机构(1)包括安装盘(11)、安装竖筒(12)、旋转轴(13)、串联外筒(14)、连接件(15)、连接筒(16)、外伸横杆(17)、承接内筒(18)和传动机构(19),所述安装盘(11)的下端安装有安装竖筒(12),所述安装竖筒(12)的内腔贯穿设置有旋转轴(13),所述旋转轴(13)的另一端外圈套接有串联外筒(14),所述串联外筒(14)的两端通过连接件(15)与连接筒(16)内端面连接,所述连接筒(16)的外端面开设有外伸横杆(17),所述连接筒(16)的上端安装有承接内筒(18),所述安装竖筒(12)的外圈安装有传动机构(19),所述承接内筒(18)的外圈套接有静电机构(2),所述静电机构(2)包括限位外筒(21)、边缘腔(22)、边缘开腔(23)和接触机构(24),所述限位外筒(21)的两端均开设有边缘腔(22),所述边缘腔(22)之间设置有边缘开腔(23),所述边缘开腔(23)的内腔横向设置有接触机构(24)。

2.根据权利要求1所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述传动机构(19)包括内串联环(191)、旋转盘(192)、外接触件(193)和通透腔(194),所述内串联环(191)的外圈安装有旋转盘(192),所述旋转盘(192)的外圈环形阵列开设有外接触件(193),所述外接触件(193)的侧端开设有通透腔(194)。

3.根据权利要求2所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述接触机构(24)包括横安装筒(241)、中通腔(242)、双耳横杆(243)和拨动排列轴(244),所述横安装筒(241)的内腔设置有中通腔(242),所述横安装筒(241)的两端均安装有双耳横杆(243),所述双耳横杆(243)的外端排列设置有拨动排列轴(244)。

4.根据权利要求3所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述拨动排列轴(244)包括内连接机构(2441)、连接块(2442)、活动连块(2443)和接触棒(2444),所述内连接机构(2441)的侧端开设有连接块(2442),所述连接块(2442)的另一端通过活动连块(2443)与接触棒(2444)活动连接。

5.根据权利要求4所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述活动连块(2443)为一种合成橡胶材质制成的构件。

6.根据权利要求2所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述外接触件(193)的设置宽度使其能够与接触棒(2444)横向接触。

7.根据权利要求3所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述中通腔(242)与双耳横杆(243)的内腔贯穿。

8.根据权利要求2所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述内串联环(191)的内腔壁与安装竖筒(12)外端壁贴合,且旋转盘(192)的开设高度不超过边缘腔(22)的开设高度。

9.根据权利要求1所述的一种二极管生产加工用刻蚀装置,其特征在于,所述外伸横杆(17)为一种合金材质制成的构件。

10.如权利要求1-9任一项所述的一种铸钢砂生产装置的方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1:将整体装置放置于密闭器皿内,将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行化学反应;

S2:将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端,安装竖筒(12)的内腔安装外接电机,使其与旋转轴(13)的顶端能够进行旋转配合,使串联外筒(14)在旋转轴(13)的带动下进行同向旋转,从而驱使连接件(15)外端的连接筒(16)进行旋转,承接内筒(18)外圈的静电机构(2)环绕传动机构(19)进行螺旋旋转;

S3:利用外接触件(193)与拨动排列轴(244)进行接触,二者之间摩擦产生静电,因外接触件(193)的环形阵列开设,使其成为一个类圆状,从而产生的静电形成一类圆状电场,产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径,使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位;

S4:产生的静电场通过外伸横杆(17)对其进行吸引,使产生的静电场的边缘高度提升,使整体静电场成为类倒漏斗状,对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔,使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。

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