[发明专利]一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法在审
申请号: | 202110941681.1 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113823583A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 华铁军;黄春城 | 申请(专利权)人: | 江苏海创微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 安徽致至知识产权代理事务所(普通合伙) 34221 | 代理人: | 秦玉霞 |
地址: | 224000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 生产 工用 刻蚀 装置 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法,包括调整机构和静电机构,承接内筒外圈的静电机构环绕传动机构进行螺旋旋转,利用外接触件与拨动排列轴进行接触,二者之间摩擦产生静电,因外接触件的环形阵列开设,使其成为一个类圆状,从而产生的静电形成一类圆状电场,产生的类圆形静电场直径大于刻蚀衬底的直径,使其能够对刻蚀衬底上的二极管进行限位,产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引,使产生的静电场的边缘高度提升,使整体静电场成为类倒漏斗状,对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔,使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
技术领域
本发明涉及二极管生产技术领域,尤其涉及一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
背景技术
二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
专利号CN201910049595.2公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置,包括机壳、泵机壳、储存罐、保护壳和水冷管,所述保护壳位于机壳顶部,所述机壳的顶部表面一体成型有轨道B,所述保护壳通过滑块安装在轨道B上,所述保护壳的顶部表面固定有固定板A,所述固定板A连接的保护壳顶部一面通过合页与保护壳侧面进行连接,所述保护壳远离泵机壳一侧设置有把手,所述把手一端与连接杆螺纹连接,所述连接杆远离把手一端连接有固定板C,所述固定板C固定于固定板B的上表面。此发明解决了具备实用性强、便于使用等优点,解决了效率不高,且散热不强的问题,但无法利用静电场对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔。
专利号CN201921378453.2公开了一种二极管生产加工用刻蚀装置,包括上电极板、下电极板和等离子体,所述等离子体设在所述上电极板的下表面,所述上电极板与所述等离子体的外侧设置有刻蚀枪,所述刻蚀枪为圆柱形空心腔体,所述刻蚀枪的上端侧壁设有进气风扇,所述刻蚀枪的下端设有喷气口,所述刻蚀枪的下端外侧壁插接有防护罩,此专利解决了刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少。
为此,我们提出一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,利用产生的静电场通过外伸横杆对其进行吸引,使产生的静电场的边缘高度提升,使整体静电场成为类倒漏斗状,对湿法刻蚀时的化学反应生成的物质进行吸附,且能够对密闭器皿中的杂质进行阻隔,使刻蚀衬底上的二极管接触杂质减少,而提出的一种二极管生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种二极管生产加工用刻蚀装置,包括调整机构和静电机构,所述调整机构包括安装盘、安装竖筒、旋转轴、串联外筒、连接件、连接筒、外伸横杆、承接内筒和传动机构,所述安装盘的下端安装有安装竖筒,所述安装竖筒的内腔贯穿设置有旋转轴,所述旋转轴的另一端外圈套接有串联外筒,所述串联外筒的两端通过连接件与连接筒内端面连接,所述连接筒的外端面开设有外伸横杆,所述连接筒的上端安装有承接内筒,所述安装竖筒的外圈安装有传动机构,所述承接内筒的外圈套接有静电机构,所述静电机构包括限位外筒、边缘腔、边缘开腔和接触机构,所述限位外筒的两端均开设有边缘腔,所述边缘腔之间设置有边缘开腔,所述边缘开腔的内腔横向设置有接触机构,将安装盘11吊挂于密闭器皿的内腔顶端,安装竖筒12的内腔安装外接电机,使其与旋转轴13的顶端能够进行旋转配合,使串联外筒14在旋转轴13的带动下进行同向旋转,从而驱使连接件15外端的连接筒16进行旋转,承接内筒18外圈的静电机构2环绕传动机构19进行螺旋旋转。
优选的,所述传动机构包括内串联环、旋转盘、外接触件和通透腔,所述内串联环的外圈安装有旋转盘,所述旋转盘的外圈环形阵列开设有外接触件,所述外接触件的侧端开设有通透腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造