[发明专利]用于硅光子学的集成半导体光放大器在审
| 申请号： | 202110941378.1 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN114205000A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | J·洪;R·库马尔;M·N·萨基卜;H·荣;K·阮;M·黄;A·埃夫特哈尔;C·马卢因;S·阿米拉利扎德阿瑟;S·法托洛洛米;L·廖;Y·阿库洛娃;O·多孙穆;A·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H04B10/516 | 分类号： | H04B10/516;H04B10/60;H04B10/40;G02B6/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及硅光子集成装置，其包括用于接收光信号的输入端、光学耦合到输入端以在第一路径和第二路径处分离光信号的分离器、与第一路径或第二路径光学耦合的偏振分束器和旋转器(PBSR)、以及与第一路径或第二路径光学耦合并且设置在分离器与PBSR之间的半导体光放大器(SOA)。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光子 集成 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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