[发明专利]用于硅光子学的集成半导体光放大器

权利要求书

1.一种硅光子集成装置，包括：

输入端，所述输入端用于接收光信号；

分离器，所述分离器光学耦合到所述输入端，以将所述光信号分离到第一路径和第二路径中；

偏转分束器和旋转器(PBSR)，所述偏转分束器和旋转器与所述第一路径或所述第二路径光学耦合；

半导体光放大器(SOA)，所述半导体光放大器与所述第一路径或所述第二路径光学耦合并且设置在所述分离器与所述PBSR之间。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

调制器，所述调制器光学耦合到所述第一路径和所述第二路径，其中，所述调制器设置在所述分离器与所述PBSR之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA设置在所述分离器与所述调制器之间，以放大从所述第一路径和/或所述第二路径接收的光。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA设置在所述调制器与PRBC之间。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA是设置在所述分离器与所述调制器之间的第一SOA；并且

还包括设置在所述调制器与PRBC之间的第二SOA。

6.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA包括磷化铟(InP)。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA是混合SOA。

8.根据权利要求2所述的装置，其中，所述SOA由所述装置的晶圆上的硅波导限定。

9.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一路径承载光的X偏振，并且所述第二路径承载光的Y偏振。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的装置，其中，所述调制器包括多个分支；并且还包括：所述SOA设置在所述多个分支中的一个分支中。

11.一种相干接收器装置，包括：

输入端，所述输入端用于接收光信号；

PBSR，所述PBSR光学耦合到所述输入端，以将所述光信号分离到X路径和Y路径中；

SOA，所述SOA与所述X路径或所述Y路径耦合，以放大所述信号；以及

光电探测器，所述光电探测器与所述SOA的输出端耦合。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述光电探测器还包括多个光电探测器。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述SOA与所述X路径和所述Y路径耦合，以放大所述信号。

14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述SOA包括InP。

15.根据权利要求11-14中任一项所述的装置，其中，所述SOA是接合到硅晶圆上的单片外延介质。

16.一种激光装置，包括：

激光部件，所述激光部件具有第一端和与所述第一端相对的第二端，所述激光部件从所述激光部件的所述第二端发射光；

背吸收器，所述背吸收器与所述激光部件的所述第一端光学耦合；

SOA的第一端，所述SOA的所述第一端与所述激光部件的所述第二端光学耦合，以放大从所述激光部件的所述第二端发射的所述光；以及

输出端，所述输出端与所述SOA的第二端耦合，所述SOA的所述第二端与所述SOA的所述第一端相对。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述激光部件是III-V/Si混合激光器。