[发明专利]一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料有效

专利信息
申请号: 202110940157.2 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113393986B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 张帅;周宝荣;赵科良;吴高鹏;马小强;马倩;兰金鹏;刘琦瑾 申请(专利权)人: 西安宏星电子浆料科技股份有限公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01B1/16;H01B1/22;C03C12/00;C03C3/072
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710065 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料,其由乙酰丙酮钯溶液、钯粉、银粉、二氧化钌、添加剂、玻璃粉、有机载体组成,所述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆等。本发明采用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉,由于在空气气氛中乙酰丙酮钯在400℃前完全分解为钯,用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉可以提升高含量的钯在电阻浆料中的分散性,改善片式电阻器的电学性能。同时按一定比例混合使用片状或棒状银粉与球形银粉,利用片状或棒状银粉填充表面裂纹和缩孔,提高低阻片式电阻器的良品率。
搜索关键词: 一种 乙酰 丙酮 掺杂 改性 低阻片式厚膜 电阻 浆料
【主权项】:
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