[发明专利]一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料

说明书

本发明公开了一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料，其由乙酰丙酮钯溶液、钯粉、银粉、二氧化钌、添加剂、玻璃粉、有机载体组成，所述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆等。本发明采用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉，由于在空气气氛中乙酰丙酮钯在400℃前完全分解为钯，用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉可以提升高含量的钯在电阻浆料中的分散性，改善片式电阻器的电学性能。同时按一定比例混合使用片状或棒状银粉与球形银粉，利用片状或棒状银粉填充表面裂纹和缩孔，提高低阻片式电阻器的良品率。

技术领域

本发明属于电阻浆料技术领域，具体涉及一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料。

背景技术

片式厚膜电阻器由于具有较小的尺寸和较高的可靠性被广泛地应用在各种电子设备中，作为集成电路的核心元器件对其可靠性有着极为苛刻的要求。片式厚膜电阻器用电阻浆料作为核心原材料决定了片式电阻器主要的工作性能，阻值分散性是决定片式电阻能否可靠应用的关键电性能之一。尤其是在低阻段（0.1Ω/□～100Ω/□）浆料中银粉、钯粉等金属导电相的增多，导电相材料的均匀分散对浆料制备过程提出了更高的要求。银粉、钯粉等导电相在浆料中的不均匀分散不仅会导致批量生产的片式电阻器阻值的分散性差，在后续的激光调阻工序中无法有效切割调阻，而且会增加在烧结后表面开裂和缩孔的风险，导致大量的不良品出现，提高生产成本。

导致上述问题出现的原因是：在低阻段（0.1Ω/□～100Ω/□）的片式厚膜电阻浆料中金属导电相银粉、钯粉等含量增多，特别是由于钯具有良好的稳定性和银迁移导致耐焊性较差，在低阻段浆料中钯粉的含量最高可达30%，而浆料制备过程不能将其分散均匀，不仅导致片式电阻器的阻值分散性差，同时带来部分银粉、钯粉团聚，在烧结过程中团聚金属导电相与粘结相之间的热膨胀系数差距过大，发生表面裂纹和缩孔现象，产生大量不良品。

发明内容

为了解决片式电阻浆料印刷过程中出现的上述问题，本发明提供一种阻值分散性好、电性能优异的乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料。

为实现上述目的，本发明所采取的低阻片式厚膜电阻浆料由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液10%～40%、钯粉0%～15%、银粉2%～20%、二氧化钌0～10%、添加剂1%～10%、玻璃粉20%～50%、有机载体20%～40%；且所述电阻浆料中钯元素的质量含量为5%～30%。

本发明电阻浆料优选由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液10%～35%、钯粉0%～15%、银粉5%～10%、二氧化钌2%～5%、添加剂1%～5%、玻璃粉20%～40%、有机载体20%～40%。进一步优选电阻浆料中钯元素的质量含量为7%～20%。

上述乙酰丙酮钯溶液为乙酰丙酮钯的苯甲醇、氯仿、甲苯溶液中任意一种。

上述银粉优选片状或棒状银粉与球型银粉的质量比为20:80～70:30的混合物。

上述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆中任意一种或多种。

上述玻璃粉为硅酸盐玻璃粉，其质量百分比组成为： PbO 15%～45%、SiO₂ 25%～40%、CaO 10%～25%、B₂O₃ 3%～12%、Al₂O₃ 5%～10%、Na₂O 0.2%～0.5%。

上述有机载体是松油醇、乙基纤维素、氢化松香、聚乙烯醇缩丁醛、马来酸树脂中任意一种或多种。

本发明低阻片式厚膜电阻浆料采用常规的辊轧法制备得到。

本发明的有益效果如下：