[发明专利]MOS管电容版图及其形成方法、验证方法在审
| 申请号： | 202110939081.1 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115705461A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 汪配焕 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种MOS管电容版图及其形成方法、验证方法，MOS管电容版图包括：工作层，所述工作层包括有源层、栅极层、位于所述栅极层一侧的源极层以及位于所述栅极层另一侧的漏极层，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层均位于所述有源层的正上方；电容识别层，所述电容识别层至少覆盖所述工作层的部分区域。本申请实施例有利于提高LVS一致性验证的效率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容 版图 及其 形成 方法 验证 | ||
【主权项】：
暂无信息
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