[发明专利]一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 202110937199.0 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113707546A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄永忠;何刘;王德友;潘冬;杨春兰;陈永智;王晓峰;潘岭峰 | 申请（专利权）人： | 成都莱普科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/28;H01L21/324;H01L29/45 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了所述一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，包括：激光器发射激光，形成所述激光退火需要的光源；光学系统将所述激光器发射的激光整形聚焦成以下三种光束类型中的任意一种后，发射到晶圆表面。所述三种光束类型：圆形平顶光束、正方形平顶光束以及线形平顶光束；位移电动平台控制晶圆实现XY方向的交叉移动，发射到晶圆表面的激光光束能量被暴露在表面的金属区域吸收，使得金属区域温度升高，超过合金反应产生所需的阈值温度，合金反应产生并形成欧姆接触。与此同时，该能量密度对器件的其它区域没有损伤或其它不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 激光 退火 形成 半导体器件 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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