[发明专利]一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：包括一种半导体退火激光的选择方法，其具体选择方法如下：

选择合适波长和/或能量密度的激光对金属和半导体界面进行照射，形成欧姆接触而不对其他区域造成影响。

2.如权利要求1所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述合适波长的选择方法：根据待退火金属材料、待退火半导体材料、介质材料分别对于激光光子的吸收程度不同选择激光波长，使的该波长的激光仅对待退火金属材料、待退火半导体材料产生作用，不对介质材料产生影响。

3.如权利要求2所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述合适能量密度的选择方法：使得所选的能量密度ED5满足以下不等式

ED1，ED2，ED3＜ED5＜ED4

式中ED1为激光作用于半导体材料时发生相互反应-材料发生改性、熔化、气化-的阈值能量密度；

式中ED2为激光作用于介质材料发生相互反应-材料发生改性、熔化、气化-的阈值能量密度；

式中ED3为激光作用于界面使得界面特性发生改变-起皮、剥离、改性-的阈值能量密度；

式中ED4为激光作用于金属/半导体界面使得合金反应产生并形成欧姆接触的阈值能量密度。

4.如权利要求3所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：包括一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触系统；

所述系统包括激光器、光学系统和位移系统；所述激光器发射的激光满足权利要求1选择方法所选择的半导体退火激光；

激光器发射激光进入到光学系统中，然后由光学系统入射到位移系统中，对位移系统中的晶圆进行处理。

5.如权利要求4所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述激光器为固体激光器、光纤激光器、碟片激光器及半导体激光器中的一种或多种组合。

6.如权利要求4所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述光学系统用于将激光器发射的激光整形为圆形平顶、方形平顶或者线形平顶光斑后，发射到样品表面；所述光学系统包括光学整形元件和聚焦系统，所述光学整形元件包括但不限于光束整形镜；所述光学整形元件和聚焦镜用于将所述激光器发射的激光整形为平顶光斑发射到样品表面。

7.如权利要求6所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述光学整形元件或所述聚焦系统可以进行纵轴方向的移动。

8.如权利要求4～6任一一项所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述位移系统用于放置样品并调整样品的位置，所述位移系统包括放置样品的真空吸片台、位移平台；所述真空吸片台能样品进行真空吸附固定，所述位移平台够进行横轴、竖轴和纵轴三轴移动。

9.如权利要求4～6任一一项所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述位移系统设置于真空和/或惰性气体环境中。

10.如权利要求9所述的一种选择性激光退火形成半导体器件欧姆接触的方法，其特征在于：所述形成半导体欧姆接触的系统包括扩束准直系统、孔径光阑和反射镜；所述扩束准直系统将激光器发射的激光扩束、准直并放大，形成平行光源；反射镜改变所述平行光源方向，使所述平行光源射入光学系统中；所述孔径光阑用于滤掉扩束准直后光斑边缘的杂光。