[发明专利]一种实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法在审
| 申请号： | 202110936619.3 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113658857A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 程海英 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/288;H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，包括：1)提供薄片晶圆，薄片晶圆背面带有通孔；2)于薄片晶圆背面形成金属种子层；3)于薄片晶圆背面形成光刻胶层，并通过光刻工艺定义出切割道区域，其中，切割道区域被光刻胶层覆盖，并显露切割道区域以外的区域；4)于薄片晶圆背面形成金属层，金属层至少形成于切割道区域以外的区域；5)剥离覆盖于切割道区域的光刻胶层，以显露切割道区域，形成背面切割道；6)自切割道区域对薄片晶圆进行切割。本发明避免了切割道区域金属层过厚而需要后续湿法腐蚀工艺去除的问题，可有效简化背面工艺，节约了制造成本，提高了生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 薄片 背面 切割 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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