[发明专利]一种实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法

权利要求书

1.一种实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于，所述背面切割道的实现方法包括：

1)提供薄片晶圆，所述薄片晶圆背面带有通孔；

2)于所述薄片晶圆背面形成金属种子层；

3)于所述薄片晶圆背面形成光刻胶层，并通过光刻工艺定义出切割道区域，其中，所述切割道区域被所述光刻胶层覆盖，并显露所述切割道区域以外的区域；

4)于所述薄片晶圆背面形成金属层，所述金属层至少形成于所述切割道区域以外的区域；

5)剥离覆盖于所述切割道区域的所述光刻胶层，以显露所述切割道区域，形成背面切割道；

6)自所述切割道区域对所述薄片晶圆进行切割。

2.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：所述薄片晶圆的衬底材料为InP、GaN、SiC及GaAs中的一种，所述薄片晶圆的厚度为25微米～75微米。

3.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤2)于所述薄片晶圆背面形成金属种子层之前，还包括对所述薄片晶圆和所述通孔进行清洗的步骤。

4.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤2)通过溅射工艺于所述薄片晶圆背面形成金属种子层。

5.根据权利要求4所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：所述金属种子层包括TiW层与Au层的叠层或者Ti层与Au层的叠层，所述TiW层或所述Ti层的厚度为100埃米～200埃米，所述Au层的厚度为400埃米～600埃米。

6.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤3)所述的光刻胶层的厚度为6微米～10微米。

7.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤4)通过电镀或蒸镀工艺于所述薄片晶圆背面形成金属层，所述切割道区域由于被所述光刻胶层覆盖，不会形成所述金属层。

8.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：所述金属层为Au镀层，所述Au镀层的厚度为3微米～5微米。

9.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤5)采用湿法剥离工艺剥离覆盖于所述切割道区域的光刻胶层，形成背面切割道。

10.根据权利要求1所述的实现薄片晶圆背面切割道的工艺方法，其特征在于：步骤6)直接对带有所述金属种子层的切割道区域进行机械切割。