[发明专利]一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110931303.5 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113675323A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 林俊荣;王宏;吕河江 | 申请（专利权）人： | 乙力国际股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/40;H01L21/683;H01L25/075;B23K26/21;B23K26/322;B23K26/323 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 钟华;任永利 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法，该结构通过利用激光同时将微型LED芯片(1)与控制基板(2)焊接到一起得到；微型LED芯片(1)包括芯片基板(14)以及固定于芯片基板(14)上的多个LED晶片(11)；多个LED晶片(11)具有共同的第一负电极(12)，且多个LED晶片(11)分别具有独立的第一正电极(13)；控制基板(2)位于微型LED芯片(1)的下方，其包括控制基板主体(21)以及位于控制基板主体(21)上的多个第二正电极(22)和一个第二负电极(23)；其中，第一负电极(12)的纵向厚度等于第一正电极(13)的纵向厚度；第二负电极(23)的纵向厚度等于第二正电极(22)的纵向厚度与LED晶片(11)的纵向厚度之和，该厚度使得在共晶焊接时，加热相同的时间可完成焊接，解决了在激光共晶焊接的时候，第一正电极(13)已经熔化，而第一负电极(12)厚度太厚，还未熔化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 led 芯片 控制 基板共晶 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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