[发明专利]掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质有效
申请号: | 202110930984.3 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113671790B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 叶小龙;黄执祥;王栋 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 欧志明 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质,该方法包括:对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测,得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息;根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率;根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器;通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除;通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案,不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用,因为材质不同于金属层,感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积,最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀,不存在影响基板光透率和相位差的印痕。 | ||
搜索关键词: | 模版 缺陷 去除 方法 装置 设备 及其 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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