[发明专利]掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质

说明书

本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括：对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率；根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器；通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除；通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案，不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。

技术领域

本发明涉及芯片生产技术领域，具体涉及一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质。

背景技术

光刻掩模版(也称作“掩模版”、“光掩模版”、“光罩”，英文名称为M a s k或Photomask，以下统一用“掩模版”叙述)是含有电子线路显微图像的精密镀膜玻璃基板，是信息技术产业中电子产品制造过程中的核心部件，其作用是将设计者的电路图形通过光刻的方式转移到下游产品所用的玻璃基板或半导体晶圆上，然后进行后续制程，直至封装、测试合格后成为最终产品。掩模版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩模版上的任何缺陷都会对最终图形精度都会有较大影响，并直接影响最终制品的优品率。

掩模版的结构主要由玻璃基板和玻璃基板表面的图形化的铬金属膜组成，铬膜厚度约为150nm。其生产流程可简要描述如下：在玻璃基板(Blanks)上依次沉积铬膜、涂布光阻材料，利用激光直写光刻设备描绘出所需的各种设计图形，通过显影制程，去除掉基板上不需要的光阻材料，再通过蚀刻制程，去除掉不被光阻覆盖的铬膜，再通过脱膜液去除残留下来的光阻，最后在基板上形成所设计图形效果，其图形就包含了透光部分和不透光的部分。在TFT或半导体用光掩模版制作流程中，还需要在光掩模版表面密着用来防尘的光学保护膜(Pellicle)。

在掩模版的生产制造过程中有一定概率会存在一个或多个产品缺陷，而产品缺陷大致被分为三类：黑缺陷、白缺陷、基板缺陷。黑缺陷形成的主要原因是在曝光前或显影前有灰尘或异物落到光阻层上，阻挡了本该被曝光的区域未被曝光或本该被显影的区域未被显影，从而使的本该被刻蚀的区域未被刻蚀，脱膜后便形成为黑缺陷。

当掩模版产生缺陷后，需对这些缺陷进行修复，常用的黑缺陷修复方法是：使用毫秒脉冲激光器或纳秒激光器形成的聚焦激光束对黑缺陷进行去除。当激光器发出的脉冲相干光经过一组光学聚焦系统汇聚在形成黑缺陷的金属层上时，金属层因吸收激光束所带能量瞬速升温熔化并被蒸发，从而实现了黑缺陷的“去除”。

但实际在这个过程中并不只是存在金属层被激光蒸发的物理反应，还存在被蒸发的金属受激光加热再次沉积的化学反应。同时原黑缺陷区域的玻璃基板表面也会因聚光激光束影响而受到损伤。不论是金属的再沉积还是玻璃表面的损伤都会降低这区域的光学透过率和产生光学相位差，这就掩模版行业所说的“激光印痕”。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质。

第一方面，本申请实施例提供了一种掩模版缺陷无痕去除方法，，该方法至少包括以下步骤：

1)对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到所述掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；

2)根据各所述缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；

3)根据所述第一脉冲频率选用去除需要的激光器，所述去除需要的激光器上第二脉冲频率为所述第一脉冲频率的1-1.5倍；

4)通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；

5)通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；