[发明专利]一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT有效
| 申请号： | 202110925423.4 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113644129B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;王茁成;罗攀;王方洲;刘超;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 台阶 gan 结构 逆阻型 hemt | ||
【主权项】：
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