[发明专利]一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT有效
| 申请号： | 202110925423.4 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113644129B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;王茁成;罗攀;王方洲;刘超;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 台阶 gan 结构 逆阻型 hemt | ||
1.一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底层(1)、AlGaN缓冲层(2)、GaN层(3)、AlGaN势垒层(4)，其中GaN层(3)与AlGaN势垒层(4)形成异质结结构；从AlGaN势垒层(4)上表面的一端到另一端依次具有源极金属(8)、栅极P型GaN材料层(7)、漏极金属(5)；在源极金属(8)和栅极P型GaN材料层(7)之间的AlGaN势垒层(4)上表面、以及栅极P型GaN材料层(7)和漏极金属(5)之间的AlGaN势垒层(4)上表面具有钝化层(10)；栅极P型GaN材料层(7)上表面具有栅极金属(9)；其特征在于，在栅极P型GaN材料层(7)和漏极金属(5)之间的AlGaN势垒层(4)上表面具有P型GaN材料层(6)，且P型GaN材料层(6)的一端与漏极金属(5)接触，另一端与栅极P型GaN材料层(7)之间为钝化层(10)，且P型GaN材料层(6)呈台阶型，从漏极到源极方向台阶垂直高度递减，漏极金属(5)向源极金属(8)的方向延伸覆盖住P型GaN材料层(6)上表面。
2.根据权利要求1所述一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT器件，衬底(1)采用的材料为硅、碳化硅或蓝宝石中的一种；所述钝化层(10)采用的材料为氮化硅或二氧化硅。
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