[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 202110916140.3 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN114765235A8 | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吴科俊;陈金元 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0747 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗;然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层;接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层;之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X%-Y%的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层;接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y%-Z%的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层;然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜;最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。本发明有助于改善电池的内建电场、提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的