[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110916140.3 申请日: 2021-08-11
公开(公告)号: CN114765235A8 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 吴科俊;陈金元 申请(专利权)人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/0747
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201306 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗;然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层;接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层;之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X%-Y%的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层;接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y%-Z%的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层;然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜;最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。本发明有助于改善电池的内建电场、提高电池转换效率。
搜索关键词: 异质结 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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