[发明专利]一种多通道超结IGBT器件在审
| 申请号： | 202110911954.8 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782586A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P‑衬底、位于P‑衬底上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N外延层；所述第二N外延层中至少包括第一虚拟MOS元胞单元与MOS元胞单元，所述第一虚拟MOS元胞单元包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部设置的热生长的栅氧化层及位于栅氧化层内的淀积的重掺杂多晶硅。本发明公开的器件结构打破传统超结IGBT器件PN柱节距的元胞尺寸限制，可根据器件的应用要求增减顶层MOS元胞和虚拟MOS元胞以调节超结IGBT器件的栅输入电容，防止器件开启时的电流震荡，提高器件抗EMI能力。同时还具有调节饱和输出电流密度、正向导通压降、短路时间耐量的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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