[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202110902056.6 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113629008B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 上官明沁;吕佐文 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述制备方法包括将所述基板放置于反应腔室内，对所述基板进行加热，并向所述反应腔室内通入第一反应气体，以形成覆盖所述接触孔内壁和所述第一层间绝缘层上表面的硅晶种层；其中，所述第一反应气体至少包括二仲丁基氨基硅烷和二叔丁基氨基硅烷中的一种；继续对所述基板进行加热，并向所述反应腔室内通入第二反应气体，以形成覆盖于所述硅晶种层远离所述基板的表面的磷掺杂硅层。二仲丁基氨基硅烷(DSBAS)和二叔丁基氨基硅烷(DTBAS)中氨基配体的尺寸较大，在形成的硅晶种层上方生长磷掺杂硅层时，可以大大缩短孵化期，大大降低了磷掺杂硅层在接触孔的侧壁位置形成空洞、裂缝等缺陷的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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