[发明专利]一种Ho：BYF单晶生长用气氛系统在审
| 申请号： | 202110901333.1 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113818079A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭春艳;张志斌;罗辉;杨永强;张辉荣 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B27/02 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘二格 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于单晶生长领域，公开了一种Ho：BYF单晶生长用气氛系统，结构为：液氮源连接液氮气化装置，高纯氧源和液氮气化装置连接气体混合装置进气口；液氮源中的液氮经液氮气化装置气化后通入气体混合装置，高纯氧源中的高纯氧通入气体混合装置，气体混合装置中的气体通入单晶炉形成流动气氛，单晶炉内产生的氮元素的氧化物气体通入尾气处理装置进行处理后排入大气。本发明采用流动气氛生长系统，能够利用炉内气体的流动调节生长界面附近的热量传输，优化温场，带走挥发性杂质，进而提高晶体生长质量；该系统不需要非常高的真空度，可利用流动气体将空气排出系统，形成气氛保护，能够解决晶体在中低温段冷却缓慢等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ho byf 生长 气氛 系统 | ||
【主权项】：
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