[发明专利]半导体雷射二极管在审
申请号: | 202110900057.7 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN113659439A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 黄朝兴;金宇中;戴文长;何肇杭;萧鸿齐 | 申请(专利权)人: | 全新光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/343 | 分类号: | H01S5/343;H01S5/34;H01S5/183 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊;高珊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体雷射二极管,为解决现有技术中所运用材料虽能降低应力但选择材料较有限且载子局限能力不佳,因此在雷射组件中提供含磷的半导体层,一方面能更有效的降低雷射组件的主动区或雷射组件的应力总和,另一方面提高主动区对载子的局限能力,其中含磷的半导体层在适当条件下能有效降低应力总和或显著增进载子局限性,在一些情形下并兼具以上两种效果;含磷的半导体层适用于具有一或多主动层的主动区、为量子井结构或量子点结构的主动层,尤其在具有多主动层的主动区内设置含磷的半导体层后,高温特性获得显著的改善或增进。 | ||
搜索关键词: | 半导体 雷射 二极管 | ||
【主权项】:
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