[发明专利]半导体雷射二极管

权利要求书

1.一种半导体雷射二极管，其透过载子再利用机制来实现高出光功率或高功率转换效率，其特征在于，包含：

一GaAs基板；以及

一多层结构，位在该GaAs基板之上，该多层结构包含：

一主动区，包含；

多个主动层，至少包含两主动层；

一穿隧接面层，位于该两主动层之间；以及

一载子局限层，位于一主动层与该穿隧接面层之间，该载子局限层为含磷材料，含磷的该载子局限层提升电洞位障高度，其中，该载子局限层选自InAlGaP、InAlGaPN、InAlGaPSb、InAlGaPBi、InGaAsP、InGaAsPN、InGaAsPSb、InGaAsPBi、InGaP、InGaPN、InGaPSb、InGaPBi及InAlGaAsP所组成的群组的至少一种。

2.如权利要求1所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该主动区更包含另一载子局限层，该另一载子局限层位于另一主动层与该穿隧接面层之间，该另一载子局限层选自AlGaAsP、AlGaAsPN、AlGaAsPSb、AlGaAsPBi、InAlGaP、InAlGaPN、InAlGaPSb、InAlGaPBi及InAlGaAsP所组成的群组的至少一种，该另一载子局限层对电子的位障能提高。

3.如权利要求1所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一或多个间隔层，该穿隧接面层之上及/或之下设置该间隔层，该载子局限层设置于该间隔层中。

4.如权利要求2所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一或多个间隔层，该穿隧接面层之上及/或之下设置该间隔层，该另一载子局限层设置于该间隔层中。

5.如权利要求3所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一氧化层；在该穿隧接面层与该氧化层之间、在该穿隧接面层与邻近于该穿隧接面层的主动层之间或在该氧化层与邻近于该氧化层的主动层之间设置该间隔层。

6.如权利要求1所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一氧化层，当该载子局限层位于该主动层与该穿隧接面层之间时，该氧化层位于另一主动层与该穿隧接面层之间。

7.如权利要求1所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一氧化层，当该载子局限层位于另一主动层与该穿隧接面层之间时，该氧化层位于该主动层与该穿隧接面层之间。

8.一种半导体雷射二极管，其透过载子再利用机制来实现高出光功率或高功率转换效率，其特征在于，包含：

一GaAs基板；以及

一多层结构，位在该GaAs基板之上，该多层结构包含：

一主动区，包含；

多个主动层，至少包含两主动层；

一穿隧接面层，位于该两主动层之间；以及

一载子局限层，位于一主动层与该穿隧接面层之间，其中，该载子局限层对电子的位障能提高，该载子局限层选自AlGaAsP、AlGaAsPN、AlGaAsPSb、AlGaAsPBi、InAlGaP、InAlGaPN、InAlGaPSb、InAlGaPBi及InAlGaAsP所组成的群组的至少一种。

9.如权利要求8所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该主动区更包含另一载子局限层，该另一载子局限层位于另一主动层与该穿隧接面层之间，含磷的该另一载子局限层提升电洞位障高度，该另一载子局限层选自InAlGaP、InAlGaPN、InAlGaPSb、InAlGaPBi、InGaAsP、InGaAsPN、InGaAsPSb、InGaAsPBi、InGaP、InGaPN、InGaPSb、InGaPBi及InAlGaAsP所组成的群组的至少一种。

10.如权利要求8所述的一种半导体雷射二极管，其特征在于，该两主动层之间更包含一或多个间隔层，该穿隧接面层之上及/或之下设置该间隔层，该载子局限层设置于该间隔层中。