[发明专利]基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110898541.0 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN113707732A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 张军琴;刘蒙;单光宝;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/107;H01L31/18
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法,该雪崩光电二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、衬底层、保护层、多周期布拉格反射镜和光波导,其中,倍增层、电荷层、吸收层、Ge电极接触层及阳极自下而上依次设置在衬底层上,阴极设置在衬底层上且位于倍增层的侧面;多周期布拉格反射镜和光波导分别位于倍增层、电荷层和吸收层形成的叠层结构的相对两侧;多周期布拉格反射镜覆盖在多周期布拉格反射镜、光波导、阴极的上表面。该雪崩光电二极管利用布拉格反射镜的强反射作用,提高光的耦合效率,增强了器件的光吸收,提高了器件的响应度。
搜索关键词: 基于 布拉格 反射 波导 ge si 雪崩 光电二极管 制备 方法
【主权项】:
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