[发明专利]基于极化掺杂AlGaN漏电隔离层的同质外延GaN HEMT及其制作方法在审
| 申请号： | 202110892744.9 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113594231A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;张伟;李祖懋;吴冠霖;郝跃;张进成;姚佳佳;孙志鹏;杨雪妍 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;陈媛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于极化掺杂AlGaN漏电隔离层的同质外延GaN HEMT及其制作方法。其自下而上包括衬底、沟道层、AlN插入层、势垒层，其中，衬底与沟道层之间设有GaN缓冲层和极化掺杂AlGaN漏电隔离层，该漏电隔离层的Al组分自下而上沿着生长方向按照厚度每增加5nm‑6nm、组分减小1％‑5％的梯度从100％阶变到0％，该势垒层的上部依次设有绝缘栅介质层和栅电极，势垒层的两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别设置源电极和漏电极。本发明能有效降低异质外延氮化镓材料的位错密度，隔离氮化镓材料同质外延界面寄生漏电，提高器件击穿电压和输出功率及可靠性，可用于微波功率放大器和射频集成电路芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 极化 掺杂 algan 漏电 隔离 同质 外延 gan hemt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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