[发明专利]一种N型选择性发射极太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202110889720.8 | 申请日: | 2021-08-05 |
公开(公告)号: | CN113707761A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 宋志成;张婷 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 提供了一种N型选择性发射极太阳能电池及其制备方法,所述制备方法包括:提供N型硅片衬底,并在其表面形成绒面结构;对N型硅片衬底正面进行硼扩散处理以形成硼扩散层;在N型硅片衬底背面上依次形成层叠的隧穿氧化层和多晶硅层,并对多晶硅层进行磷扩散处理以形成N+掺杂层,在N+掺杂层上形成氮化硅层;腐蚀N型硅片衬底正面非电极区域内的所述硼扩散层,以形成P++/P+选择性发射极结构;在N型硅片衬底正面上依次形成层叠的钝化层和减反射层;在N型硅片衬底的正面和背面分别形成正面电极和背面电极。本发明所提供的N型选择性发射极太阳能电池的制备方法制备工艺简单、成本低廉、能有效提升太阳能电池的效率和性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的