[发明专利]一种N型选择性发射极太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供N型硅片衬底，并在所述N型硅片衬底的表面形成绒面结构；

对所述N型硅片衬底的正面进行硼扩散处理以形成硼扩散层；

在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的隧穿氧化层和多晶硅层，并对所述多晶硅层进行磷扩散处理以形成N+掺杂层，在所述N+掺杂层上形成氮化硅层；

腐蚀所述N型硅片衬底正面非电极区域内的所述硼扩散层，以在所述N型硅片衬底正面的电极区域内形成P++掺杂区，并且在非电极区域内形成P+掺杂区，从而在所述N型硅片衬底正面形成P++/P+选择性发射极结构；

在所述N型硅片衬底正面上依次形成层叠的钝化层和减反射层；

在所述N型硅片衬底的正面和背面分别形成正面电极和背面电极，以获得所述N型选择性发射极太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀所述N型硅片衬底正面非电极区域内的所述硼扩散层，以在所述N型硅片衬底正面的电极区域内形成P++掺杂区，并且在非电极区域内形成P+掺杂区，具体包括：

利用喷蜡的方式在所述N型硅片衬底正面的电极区域内形成正电极图形掩膜；

利用第一溶液去除所述N型硅片衬底的自然氧化层；

利用第一混合溶液对所述N型硅片衬底正面的非电极区域内的所述硼扩散层进行腐蚀，以在所述N型硅片衬底正面的电极区域内形成P++掺杂区，并且在非电极区域内形成P+掺杂区；

利用第二溶液去除所述正电极图形掩膜；

利用第二混合溶液清洗所述N型硅片衬底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶液为氟化氢溶液；所述第一混合溶液为氟化氢和硝酸的混合溶液；所述第二溶液为氢氧化钾溶液；所述第二混合溶液为氟化氢和氯化氢的混合溶液。

4.根据权利要求1～3任一所述的制备方法，其特征在于，所述P++掺杂区的方块电阻的范围是65Ω.sq～80Ω.sq，所述P+掺杂区的方块电阻的范围是160Ω.sq～180Ω.sq。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅层，所述隧穿氧化层为的厚度范围为1nm～2nm；所述多晶硅层的厚度范围为100nm～120nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述N型硅片衬底的正面进行硼扩散处理以形成硼扩散层之后，且在所述N型硅片衬底的背面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层之前，所述制备方法还包括：刻蚀去除所述N型硅片衬底的边缘和背面硼结绕扩。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述N+掺杂层上形成氮化硅保护层之后，且腐蚀所述N型硅片衬底正面非电极区域内的所述硼扩散层之前，所述制备方法还包括：去除所述N型硅片衬底正面的氮化硅绕镀和多晶硅绕镀。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层，所述钝化层的厚度为1nm～2nm，所述减反射层为氮化硅层，所述减反射层的厚度为75nm～80nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的正面和背面分别形成正面电极和背面电极，以获得所述N型选择性发射极太阳能电池，具体包括：丝网印刷正面电极浆料以及背面电极浆料，高温烧结形成与P++掺杂区欧姆接触的正面电极以及与N+掺杂层欧姆接触的背面电极；其中，所述正面电极浆料为银铝浆料，所述背面电极浆料为银浆料，所述烧结温度为750℃～800℃。

10.一种由权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到的N型选择性发射极太阳能电池。