[发明专利]熔断开关、熔断控制结构以及熔断系统在审
| 申请号： | 202110888236.3 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113540024A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林庭佑 | 申请（专利权）人： | 深圳奥简科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种熔断开关、熔断控制结构以及熔断系统，熔断开关包括顶层导体层、底层导体层、至少一层中间导体层以及多个导体线；各层中间导体层均夹设于顶层导体层和底层导体层之间；与顶层导体层最近邻的中间导体层与顶层导体层之间形成有间隙；各层中间导体层之间形成有间隙；与底层导体层最近邻的中间导体层与底层导体层之间形成有间隙；各层中间导体层上开设有通槽；各间隙内设置有至少一个导体线，导体线用于连通间隙两侧的导体层，通过本申请的熔断开关的多层结构可以使得熔断开关因电流或电压发热时容纳更多的应力，中间导体层上开设的通槽可缓冲应力，靠近底层导体层不易产生应力，避免熔断开关在熔断时产生的应力破坏半导体元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 开关 控制 结构 以及 系统 | ||
【主权项】：
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