[发明专利]基于磁光阱的相干电子源获取装置在审
| 申请号： | 202110882908.X | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113808774A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周庆红;徐艳霞;李晓红;刘涛 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学;周庆红 |
| 主分类号： | G21K1/087 | 分类号： | G21K1/087;G21K1/00;H05H3/06 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 张永维 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于磁光阱的相干电子源获取装置，通过铷原子蒸汽，在二维磁光阱中生成铷冷原子束流，将铷冷原子束流输送到三维磁光阱，通过三维磁光阱捕获铷冷原子束流中的冷原子；使用780nm、480nm两束激光对冷原子外层电子进行电子态制备，并使用高压静电场驱动获得相干电子；三维磁光阱的真空腔中配置有电极板，电极片横向施加预设的电压得到正负相交替的电场，控制电子束横向尺寸，电极片纵向施加正负相交替的电场，控制电子束纵向束长；真空腔与存放电子束的样品腔之间通过螺线管施加磁场，以控制输入到样品腔的电子束横向尺寸。本发明克服了塞曼减速器尺寸大、磁场泄露等缺点，最大程度上降低了设备对电子束的影响；使电子的相干性更易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁光阱 相干 电子 获取 装置 | ||
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