[发明专利]检测三维存储器的结构缺陷的方法及三维存储结构有效
| 申请号： | 202110877885.3 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113593627B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王班;李文龙;李思晢;陈金星;范光龙;马霏霏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/50;H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种检测三维存储器的结构缺陷的方法及三维存储结构。该检测三维存储器的结构缺陷的方法包括：将三维存储结构的存储区导电层接地，其中，所述三维存储结构包括堆叠结构、设置在所述堆叠结构的存储区块上的至少一个位线触点、以及覆盖所述至少一个位线触点并与每个所述位线触点电连接的所述存储区导电层；以及对所述字线触点进行亮度电压对比检测。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 三维 存储器 结构 缺陷 方法 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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