[发明专利]一种快闪存储器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110876380.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611599A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈彩云;姚邵康;巨晓华;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有依次堆叠的浮栅多晶硅层、控制栅多晶硅层和图形化的掩膜层，所述控制栅多晶硅层进行了碳掺杂；以及，以所述图形化的掩膜层为掩模刻蚀所述控制栅多晶硅层的至少部分厚度，沿第一方向延伸的第一开口或形成沿第二方向延伸的第二开口。通过对所述控制栅多晶硅层进行掺碳处理，提高所述控制栅多晶硅层的耐刻蚀程度，降低其刻蚀速率，改善控制栅极侧壁的损耗，最终改善快闪存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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