[发明专利]一种电容孔形成的方法有效
| 申请号： | 202110874767.7 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594367B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王春阳;李振兴;邵波;刘欣然 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种电容孔形成的方法，该方法包括：提供一待处理晶圆；待处理晶圆包括衬底以及依次形成于衬底表面的第一介质层和第一掩膜层；根据补偿后的第一刻蚀参数对第一掩膜层进行刻蚀，形成沿第一刻蚀方向延伸的第一图形层；在第一图形层表面依次形成第二介质层和第二掩膜层；根据补偿后的第二刻蚀参数对第二掩膜层和第二介质层进行刻蚀，形成沿第二刻蚀方向延伸的第二图形层；以第一图形层和第二图形层共同作为电容图形刻蚀第一介质层，形成电容孔。这样，通过对刻蚀参数进行补偿，在刻蚀形成电容孔时，可以有效改善电容孔的倾斜现象，提高电容倾斜的工艺窗口，从而提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
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