[发明专利]一种电容孔形成的方法

权利要求书

1.一种电容孔形成的方法，其特征在于，包括：

提供一待处理晶圆；所述待处理晶圆包括衬底以及依次形成于所述衬底表面的第一介质层和第一掩膜层；

利用预设偏移量参数对所述待处理晶圆的第一刻蚀参数和第二刻蚀参数进行补偿，得到补偿后的第一刻蚀参数和补偿后的第二刻蚀参数；

根据所述补偿后的第一刻蚀参数对所述第一掩膜层进行刻蚀，形成沿第一刻蚀方向延伸的第一图形层；

在所述第一图形层表面依次形成第二介质层和第二掩膜层；

根据所述补偿后的第二刻蚀参数对所述第二掩膜层和所述第二介质层进行刻蚀，形成沿第二刻蚀方向延伸的第二图形层；

以所述第一图形层和所述第二图形层共同作为电容图形刻蚀所述第一介质层，形成电容孔；

其中，所述方法还包括：

获取射频RF末期的晶圆样品的边缘偏移量参数以及机台偏移量参数；

根据所述晶圆样品的边缘偏移量参数和所述机台偏移量参数，确定所述预设偏移量参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底内设置有电容接触结构，且所述电容孔与所述电容接触结构对接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述补偿后的第一刻蚀参数对所述第一掩膜层进行刻蚀，形成沿第一刻蚀方向延伸的第一图形层，包括：

在所述第一掩膜层表面形成光阻层；

通过所述补偿后的第一刻蚀参数沿垂直方向刻蚀所述光阻层，形成沿第一方向延伸的图案化光阻层；

以所述图案化光阻层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，形成所述第一图形层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述补偿后的第二刻蚀参数对所述第二掩膜层和所述第二介质层进行刻蚀，形成沿第二刻蚀方向延伸的第二图形层，包括：

通过所述补偿后的第二刻蚀参数沿垂直方向刻蚀所述第二掩膜层，并继续沿垂直方向刻蚀所述第二介质层，形成沿第二方向延伸的第二图形层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶圆样品的边缘偏移量参数和所述机台偏移量参数，确定所述预设偏移量参数，包括：

根据RF周期和当前时间，确定偏移量调整值；

根据所述晶圆样品的边缘偏移量参数和所述机台偏移量参数，通过预设计算模型确定偏移量计算值；

利用所述偏移量调整值对所述偏移量计算值进行修正，得到所述预设偏移量参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理晶圆包括若干个边缘曝光单元，不同的边缘曝光单元对应不同的预设偏移量参数；

所述方法还包括：

确定所述待处理晶圆的目标边缘曝光单元对应的目标偏移量参数，且所述目标偏移量参数包括第一目标偏移量参数和第二目标偏移量参数；

所述利用预设偏移量参数对所述待处理晶圆的第一刻蚀参数和第二刻蚀参数进行补偿，得到所述补偿后的第一刻蚀参数和所述补偿后的第二刻蚀参数，包括：

利用所述第一目标偏移量参数对所述目标边缘曝光单元的第一刻蚀参数进行补偿，得到所述补偿后的第一刻蚀参数；以及

利用所述第二目标偏移量参数对所述目标边缘曝光单元的第二刻蚀参数进行补偿，得到所述补偿后的第二刻蚀参数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取水平方向下RF末期的晶圆样品的目标边缘曝光单元对应的第一边缘偏移量参数以及第一机台偏移量参数；

根据所述第一边缘偏移量参数和所述第一机台偏移量参数，确定所述第一目标偏移量参数；以及

获取垂直方向下RF末期的晶圆样品的目标边缘曝光单元对应的第二边缘偏移量参数以及第二机台偏移量参数；

根据所述第二边缘偏移量参数和所述第二机台偏移量参数，确定所述第二目标偏移量参数。