[发明专利]真空沟道晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110865729.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594006B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 母志强;刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J9/18 | 分类号： | H01J9/18;H01J9/02;H01J29/46;H01J29/48;H01J31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空沟道晶体管的制作方法，至少包括：在第一硅衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括第一电介质层、多晶硅层和第二电介质层；图形化所述层叠结构以形成包括空腔和沟槽的图形化区域，其中在所述沟槽的底部暴露出第一硅衬底；在所述图形化区域中形成第三电介质的侧壁；在形成有第三电介质侧壁的所述沟槽内定位生长纳米线，所述纳米线自第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；使所述第二电介质层与第二硅衬底键合。本发明还提供了一种真空沟道晶体管，其包括穿过所述第一电介质层而进入真空空腔的纳米线。所述制作方法可以与现有集成电路的制造工艺相兼容，经由所述制作方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 沟道 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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