[发明专利]埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构有效
| 申请号： | 202110862614.0 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594097B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 冯伟;卢经文;朱柄宇;崔兆培 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种埋入式位线结构的制作方法及埋入式位线结构，埋入式位线结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构有源区结构；形成初始位线沟槽，初始位线沟槽暴露有源区结构；形成导电结构，导电结构位于初始位线沟槽的底部；形成位线接触结构，位线接触结构覆盖导电结构，且位线接触结构的顶面低于有源区结构的顶面；形成绝缘结构，绝缘结构覆盖位线接触结构。本公开的埋入式位线结构的制作方法，在初始位线沟槽中形成位线结构，位线结构埋入式设置在衬底中，不需要经过刻蚀处理，不会出现位线结构倾斜、倒塌等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 式位线 结构 及其 制作方法 半导体 | ||
【主权项】：
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