[发明专利]埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构

说明书

本公开提供了一种埋入式位线结构的制作方法及埋入式位线结构，埋入式位线结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构有源区结构；形成初始位线沟槽，初始位线沟槽暴露有源区结构；形成导电结构，导电结构位于初始位线沟槽的底部；形成位线接触结构，位线接触结构覆盖导电结构，且位线接触结构的顶面低于有源区结构的顶面；形成绝缘结构，绝缘结构覆盖位线接触结构。本公开的埋入式位线结构的制作方法，在初始位线沟槽中形成位线结构，位线结构埋入式设置在衬底中，不需要经过刻蚀处理，不会出现位线结构倾斜、倒塌等问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)具有体积小、集成度高、功耗低等优点，且DRAM的数据读取速度比只读存储器(ROM，Read Only Memory)快。

随着DRAM集成度越来越高，DRAM制程微缩，位线结构也随之微缩，位线结构制程的操作窗口(Process Window)减小，位线在制程中容易倾斜、倒塌，影响结构良率。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构。

本公开的第一方面提供了一种埋入式位线结构的制作方法，所述方法包括：

提供初始结构，所述初始结构包括基底以及设置在所述基底上的保护层，所述基底包括有源区结构和介质层；

部分去除所述保护层、有源区结构以及介质层以形成初始位线沟槽，所述初始位线沟槽暴露所述有源区结构；

形成导电结构，所述导电结构位于所述初始位线沟槽的底部；

形成位线接触结构，所述位线接触结构覆盖所述导电结构，且所述位线接触结构的顶面低于所述有源区结构的顶面；

形成绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述位线接触结构，所述绝缘结构的顶面与所述保护层的顶面平齐。

根据本公开的一些实施例，在所述形成导电结构之前，还包括：

形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述初始位线沟槽的侧壁和底壁，以及所述保护层的顶面；

形成阻挡结构，所述阻挡结构覆盖所述隔离结构；

形成初始导电结构，所述初始导电结构填充所述初始位线沟槽，且覆盖所述阻挡结构。

根据本公开的一些实施例，所述形成导电结构，包括：

回刻所述初始导电结构以形成所述导电结构；

去除部分所述阻挡结构，以使得被保留的所述阻挡结构与所述导电结构的顶面平齐。

根据本公开的一些实施例，在所述形成导电结构之后，所述形成位线接触结构之前，还包括：

去除覆盖所述初始位线沟槽的侧壁及所述保护层的顶面的所述隔离结构，保留位于所述初始位线沟槽底部的部分所述隔离结构，以在所述导电结构与所述初始位线沟槽的侧壁之间形成间隙。

根据本公开的一些实施例，所述形成位线接触结构，包括：

通过低压化学气相沉积工艺沉积所述位线接触结构，所述位线接触结构封闭所述间隙的开口以形成空气隙。

根据本公开的一些实施例，所述提供初始结构，包括：

提供衬底；

刻蚀所述衬底以形成阵列排布的多个有源区结构；