[发明专利]通过沉积工艺形成薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种通过沉积工艺形成薄膜的方法。所述方法包括：步骤S1，将基底至于沉积腔室中；步骤S2，向沉积腔室中通入前驱体，在所述基底表面形成吸附层；步骤S3，向所述沉积腔室中通入反应体，所述反应体与所述吸附层反应，在所述基底表面形成薄膜层，并产生反应副产物；步骤S4，对所述沉积腔室进行抽真空操作，减小所述沉积腔室中的腔室压力，以降低所述薄膜层表面形成的反应副产物的脱附能；步骤S5，向沉积腔室中通入等离子体，增大形成的薄膜层表面的能量；步骤S6，向所述沉积腔室中通入清洁气体，排出所述沉积腔室中的反应副产物和残余的前驱体和反应体。根据本发明减少形成的薄膜层中的杂质，提高薄膜层的质量和电学性能。