[发明专利]P型基区碳化硅DAS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110859934.0 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745315A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;周瑜;宋庆文;张玉明;韩超 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型基区碳化硅DAS器件及其制备方法，P型基区碳化硅DAS器件，包括：衬底、外延结构、阳极和阴极，外延结构依次包括位于衬底一侧的N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区，阳极位于外延结构远离衬底的一侧，阴极位于衬底远离N+缓冲区的一侧，本发明引入P+区/P+缓冲区/P‑基区/N+缓冲区的外延结构，有利于消除局部电场集中，使得碳化硅DAS器件内部电场均匀分布，从而降低表面电场对刻蚀角度的敏感性，确保碳化硅DAS器件正常工作。此外，制备具有P+缓冲区和P‑基区的碳化硅DAS器件时可使用纯刻蚀斜面终端，无需进行离子注入，不仅有效降低了工艺复杂度，同时也能够避免离子注入带来的材料缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 型基区 碳化硅 das 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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