[发明专利]降低电压的发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110856930.7 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113809213A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陶刚;李俊生;胡根水;孙虎 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片中的覆盖电流阻挡层的复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层。第一透明导电子层覆盖电流阻挡层所有表面，第一透明导电子层具有与衬底的表面平行的第一表面，第二透明导电子层在衬底的表面的正投影的外轮廓与电流阻挡层在衬底的表面的正投影的外轮廓重合，电流的传递整体较为均匀。第二透明导电子层与p电极连通，形成良好的欧姆接触的同时实现电流的良好传导。电流整体遇到的体电阻降低，发光二极管外延片整体所需的电压则得到降低，出光率提高，亮度也得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电压 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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