[发明专利]降低电压的发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延片中的覆盖电流阻挡层的复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层。第一透明导电子层覆盖电流阻挡层所有表面，第一透明导电子层具有与衬底的表面平行的第一表面，第二透明导电子层在衬底的表面的正投影的外轮廓与电流阻挡层在衬底的表面的正投影的外轮廓重合，电流的传递整体较为均匀。第二透明导电子层与p电极连通，形成良好的欧姆接触的同时实现电流的良好传导。电流整体遇到的体电阻降低，发光二极管外延片整体所需的电压则得到降低，出光率提高，亮度也得到提高。

技术领域

本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及降低电压的发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、显示屏等，提高发光二极管芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。

发光二极管芯片是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管芯片包括衬底与衬底上依次层叠的n型层、多量子阱层、p型层、电流阻挡层与透明导电层，发光二极管还包括n电极与p电极。n电极与p电极分别连通至n型层与p型层。

由于电流阻挡层与透明导电层在生长过程中会存在质量不均的问题，使得发光二极管芯片的低电压与发光二极管芯片的高出光亮度难以兼具。

发明内容

本公开实施例提供了降低电压的发光二极管芯片及其制备方法，能够降低发光二极管的电压的同时提高发光二极管的亮度。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种降低电压的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括n电极、p电极与外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层、电流阻挡层与复合透明导电层，所述电流阻挡层在所述衬底的表面的正投影小于所述p型层在所述衬底的表面的正投影，

所述复合透明导电层包括依次层叠的第一透明导电子层与第二透明导电子层，所述第一透明导电子层覆盖所述电流阻挡层所有表面，所述第一透明导电子层具有与所述衬底的表面平行的第一表面，所述第二透明导电子层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓与所述电流阻挡层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓重合，

所述n电极与所述n型层连通，所述p电极与所述第二透明导电子层连通。

可选地，所述第一透明导电子层的厚度与所述第二透明导电子层的厚度之比为1:10～10:1。

可选地，所述第一透明导电子层的厚度为所述第二透明导电子层的厚度为

可选地，所述第一表面与所述电流阻挡层之间最小的距离为5μm～100μm。

可选地，所述复合透明导电层还包括透明介质子层，所述透明介质子层与所述第二透明导电子层分别层叠在所述第一透明导电子层的表面的不同区域。

可选地，所述电流阻挡层包括依次层叠在所述p型层上的第一电流阻挡子层与第二电流阻挡子层，所述第一电流阻挡子层的密度小于所述第二电流阻挡子层的密度。

可选地，所述第一电流阻挡子层的厚度与第二电流阻挡子层的厚度之比为1:1～5:1。

本公开实施例提供了一种降低电压的发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；