[发明专利]化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 202110849101.6 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113524019A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 崔凯;张洁 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 冯洁 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及化学机械抛光方法；化学抛光方法包括称量一批来料晶片抛光前的重量；按照预设时间对来料晶片进行化学机械抛光；称量来料晶片抛光后的重量，根据来料晶片抛光前的重量和来料晶片抛光后的重量计算来料晶片的去除量；根据预设时间和来料晶片的去除量计算来料晶片的去除速率；根据来料晶片的去除速率和下一批来料晶片的目标去除量，计算下一批来料晶片所需的抛光时间。本发明的化学机械抛光方法能够改善碳化硅晶片的去除量和厚度难以保持一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
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