[发明专利]化学机械抛光方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及化学机械抛光方法；化学抛光方法包括称量一批来料晶片抛光前的重量；按照预设时间对来料晶片进行化学机械抛光；称量来料晶片抛光后的重量，根据来料晶片抛光前的重量和来料晶片抛光后的重量计算来料晶片的去除量；根据预设时间和来料晶片的去除量计算来料晶片的去除速率；根据来料晶片的去除速率和下一批来料晶片的目标去除量，计算下一批来料晶片所需的抛光时间。本发明的化学机械抛光方法能够改善碳化硅晶片的去除量和厚度难以保持一致的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及化学机械抛光方法。

背景技术

第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有临界击穿电场强度大、热导率高、饱和电子漂移速率大、热稳定性好等优异特性，可以克服传统半导体的劣势，使设备能在更恶劣的条件下正常工作，是制作高温、高压、高频、大功率电子器件的关键材料，因此具有广阔的应用前景和重要的研究意义。SiC晶片加工是其在各领域得以应用的至关重要的一步，其中化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是实现晶片局部和全局平坦化，获得无表面损伤的高质量SiC抛光片的重要手段。

SiC晶片加工的表面质量和平坦度参数，会直接影响其生长外延层及制成芯片的质量，最终影响器件的性能。随着芯片端的不断发展，对SiC晶片表面质量和平坦度参数的要求会越来越高。相关技术通常采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)对碳化硅晶片进行处理。

但是，相关技术提供的化学机械抛光方法对于碳化硅晶片的去除量和厚度难以保持一致。

发明内容

本发明的目的在于提供化学机械抛光方法，其能够改善碳化硅晶片的去除量和厚度难以保持一致的问题。

本发明是这样实现的：

本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：

称量一批来料晶片抛光前的重量；

按照预设时间对来料晶片进行化学机械抛光；

称量来料晶片抛光后的重量，根据来料晶片抛光前的重量和来料晶片抛光后的重量计算来料晶片的去除量；

根据预设时间和来料晶片的去除量计算来料晶片的去除速率；

根据来料晶片的去除速率和下一批来料晶片的目标去除量，计算下一批来料晶片所需的抛光时间。

在可选的实施方式中，化学机械抛光方法还包括：称量下一批来料晶片的抛光前的重量；

根据计算出的下一批来料晶片所需的抛光时间对下一批来料晶片进行化学机械抛光；

称量下一批来料晶片抛光后的重量，根据下一批来料晶片的抛光前的重量和下一批来料晶片抛光后的重量，计算下一批来料晶片的去除量；

根据下一批来料晶片所需的抛光时间和下一批来料晶片的去除量，计算下一批来料晶片的去除速率；

根据下一批来料晶片的去除速率和下一批来料晶片的目标去除量，计算再下一批来料晶片所需的抛光时间；

并重复进行再下一批来料晶片抛光前后的重量称量，去除量计算以及去除速率计算。

在可选的实施方式中，一批来料晶片包括至少两个来料晶片，称量一批来料晶片抛光前的重量具体包括：分别称量至少两个来料晶片抛光前的重量，并控制至少两个来料晶片抛光前的重量差小于预设上限。

在可选的实施方式中，预设上限小于或等于0.03g。

在可选的实施方式中，按照预设时间分别对至少两个来料晶片进行化学机械抛光；