[发明专利]化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：

称量一批来料晶片抛光前的重量；

按照预设时间对所述来料晶片进行化学机械抛光；

称量所述来料晶片抛光后的重量，根据所述来料晶片抛光前的重量和所述来料晶片抛光后的重量计算所述来料晶片的去除量；

根据所述预设时间和所述来料晶片的去除量计算所述来料晶片的去除速率；

根据所述来料晶片的去除速率和下一批来料晶片的目标去除量，计算所述下一批来料晶片所需的抛光时间。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述化学机械抛光方法还包括：称量下一批来料晶片的抛光前的重量；

根据计算出的所述下一批来料晶片所需的抛光时间对所述下一批来料晶片进行化学机械抛光；

称量所述下一批来料晶片抛光后的重量，根据所述下一批来料晶片的抛光前的重量和所述下一批来料晶片抛光后的重量，计算所述下一批来料晶片的去除量；

根据所述下一批来料晶片所需的抛光时间和所述下一批来料晶片的去除量，计算所述下一批来料晶片的去除速率；

根据所述下一批来料晶片的去除速率和所述下一批来料晶片的目标去除量，计算所述再下一批来料晶片所需的抛光时间；

并重复进行所述再下一批来料晶片抛光前后的重量称量，去除量计算以及去除速率计算。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述一批来料晶片包括至少两个所述来料晶片，所述称量一批来料晶片抛光前的重量具体包括：分别称量至少两个所述来料晶片抛光前的重量，并控制至少两个所述来料晶片抛光前的重量差小于预设上限。

4.根据权利要求3所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述预设上限小于或等于0.03g。

5.根据权利要求3所述的化学机械抛光方法，其特征在于，

按照所述预设时间分别对至少两个所述来料晶片进行化学机械抛光；

分别称量至少两个所述来料晶片抛光后的重量，并分别计算至少两个所述来料晶片的去除量；

根据所述预设时间和至少两个所述来料晶片的去除量，计算至少两个所述来料晶片的平均去除速率；

根据所述平均去除速率和所述下一批来料晶片的目标去除量，计算所述下一批来料晶片所需的抛光时间。

6.根据权利要求5所述的化学机械抛光方法，其特征在于，根据所述预设时间和至少两个所述来料晶片的去除量，计算至少两个所述来料晶片的所述平均去除速率，具体包括：

根据所述预设时间和至少两个所述来料晶片的去除量，分别计算至少两个所述来料晶片的去除速率，再根据至少两个所述来料晶片的去除速率计算至少两个所述来料晶片的所述平均去除速率。

7.根据权利要求5所述的化学机械抛光方法，其特征在于，根据所述预设时间和至少两个所述来料晶片的去除量，计算至少两个所述来料晶片的所述平均去除速率，具体包括：

计算至少两个所述来料晶片的平均去除量，再根据所述预设时间和至少两个所述来料晶片的平均去除量计算至少两个所述来料晶片的所述平均去除速率。

8.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，化学机械抛光方法还包括：在所述来料晶片的去除量小于所述来料晶片的目标去除量的情况下，根据所述来料晶片的去除量、所述来料晶片的目标去除量以及所述来料晶片的去除速率，对按照所述预设时间抛光过的所述来料晶片进行补抛。

9.根据权利要求8所述的化学机械抛光方法，其特征在于，根据所述来料晶片的去除量、所述来料晶片的目标去除量以及所述来料晶片的去除速率，对按照所述预设时间抛光过的所述来料晶片进行补抛，具体包括：

根据所述来料晶片的去除量、所述来料晶片的目标去除量以及所述来料晶片的去除速率计算补抛时间，并按照所述补抛时间对按照所述预设时间抛光过的所述来料晶片进行补抛。