[发明专利]结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110843929.0 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707708B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;杨珞云;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 唐沛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,该晶体管在AlGaN层和GaN层表面生长积累介质层，相应分别与欧姆源极、欧姆漏极相接；在栅源区域积累介质层上生长外延层，外延层的左端和右端通过离子注入形成P+区和N+区；并通过欧姆接触在外延层左端N+区上方形成外延栅极，右端P+区上方形成外延漏极；欧姆漏极与外延漏极通过导线连接，作为器件的漏极；肖特基栅极与外延栅极通过导线连接，作为器件的栅极；当栅极加正电压时，积累介质层在GaN层中产生大量电子与二维电子气连接，形成导通沟道，实现了器件增强型；器件反向偏置时，通过AlGaN外延层可优化内部电场，使电场分布更均匀，可大幅度提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 积累 增强 algan gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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