[发明专利]一种碳化硅晶体的二次退火方法在审
| 申请号： | 202110843228.7 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113564719A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈荣坤;李文勇;马敬军;张冬 | 申请（专利权）人： | 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 054800 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体的二次退火方法，包括：将碳化硅晶体放置在坩埚中在退火炉内进行退火处理；所述坩埚包括：大坩埚；设置在所述大坩埚内的小坩埚；设置在所述小坩埚内的环形石墨毡；所述晶体水平方向放置在环形石墨毡的中心。本发明在二次退火阶段使用“双坩埚”模式加“环形石墨毡”，减少温度梯度，使温度梯度保持在2～6℃，使晶体内部应力得到缓慢释放，同时避免晶体在退火过程中产生新的应力。本发明提供的二次退火的方法可对坩埚高度和晶体厚度进行合理配置，同时放置多块晶体，增加效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 二次 退火 方法 | ||
【主权项】：
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