[发明专利]一种碳化硅晶体的二次退火方法在审
| 申请号： | 202110843228.7 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113564719A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈荣坤;李文勇;马敬军;张冬 | 申请（专利权）人： | 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 054800 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 二次 退火 方法 | ||
1.一种碳化硅晶体的二次退火方法，包括：
将碳化硅晶体放置在坩埚中在退火炉内进行退火处理；
所述坩埚包括：
大坩埚；
设置在所述大坩埚内的小坩埚，小坩埚与大坩埚同轴放置；
设置在所述小坩埚内的环形石墨毡；
所述碳化硅晶体水平方向放置在环形石墨毡的中心；
所述环形石墨毡的内径为碳化硅晶体直径的1/3～2/3，外径不小于碳化硅晶体直径，厚度为碳化硅晶体厚度的0.3～2.5倍；
所述小坩埚底部与大坩埚底部之间的距离为20～150mm；
所述大坩埚和小坩埚之间的间隙中填充有保温材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化硅晶体的直径为4～8英寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小坩埚的内径是碳化硅晶体直径的1.1～2.0倍。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大坩埚的内径是小坩埚外径的1.1～3.0倍。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大坩埚和小坩埚之间的间隙体积为大坩埚体积的20～40％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保温材料选自石墨毡或碳化硅粉料中的一种或两种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括：
升温至退火温度后保温，然后进行一次降温，最后进行二次降温；
所述升温的时间为10～20小时；
所述退火温度为2000～2500℃；
所述保温时间为20～40小时；
所述一次降温为在20～40小时降温至1000～1250℃；
所述二次降温为在10～15小时降温至室温。
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